2016年11月28日，第十八届中国电子学会可靠性物理年会在广东省珠海市横琴新区召开。中国电子学会可靠性分会每两年组织一次中国电子学会可靠性物理年会，历时37年，至今已成功举办了十七届。电子科技大学国际合作与国际教育委员会主任，电子科技大学科学技术委员会副主任，系统可靠性与安全性研究中心主任黄洪钟教授应组委会的盛情邀请，率博士研究生黄承赓和硕士研究生郭来小出席了本次学术年会。

　　会议初始，中国电子学会可靠性分会秘书长隆重介绍了电子科技大学国际合作与国际教育委员会主任黄洪钟等到场嘉宾，在工信部电子五所领导致辞和横琴管委会对横琴新区发展进行介绍后，工信部电子五所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室研究员何小琦、中电二十九所副总师邓林、工信部电子五所软件质量工程研究中心主任杨春晖等专家分别做了大会主题报告。经过一天的学术报告和交流，参会人员都表示收获颇多。

　　报告结束后，黄洪钟教授与工信部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室常务副主任恩云飞就电子元器件可靠性等研究领域的热点问题开展了深入的交流与讨论，并进一步商谈未来在学术研究与人才培养等方面的交流与合作。

　　11月29日上午，在主办方的邀请下，黄洪钟教授一行随队参观了横琴新区规划建设展示厅和横琴青年创业谷，感受到了横琴新区对人才的渴望和发展高新科技的决心。参观人员都对创业政策表现出很强的兴趣。

　　11月29日下午，在珠海伟创力制造有限公司经理邬博义博士的邀请下，黄洪钟教授一行对该公司生产车间和可靠性研究室进行了参观访问，黄洪钟教授与邬博义博士就学术交流和高层次人才培养进行了研讨。

（硕士生研究生郭来小供稿，博士研究生黄承赓修改）